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2" wafers(110)

 
  2. 2" Diameter Wafer
  3. 2" wafers(110)
 
 
Ge Wafer (110)N type, Sb doped, 2" dia x 0.5 mm, 1SP Resistivity: 1-5 ohm.cm

Ge Wafer (110)N type, Sb doped, 2" dia x 0.5 mm, 1SP Resistivity: 1-5 ohm.cm

기본 정보
Product Name Ge Wafer (110)N type, Sb doped, 2" dia x 0.5 mm, 1SP Resistivity: 1-5 ohm.cm
Sale Price Call for Price
Product Code GESbe50D05C1(1-5)
Quantity 수량증가수량감소
상품 옵션
 
  •  Ge Wafer Specification
  • Growing Method
  • CZ
  • Orientation
  • (110) +/_0.5 Deg
  • Wafer Size
  • 2" dia x 500 microns
  • Surface finish (RMS or Ra)
  • One side optical polished < 30A
  • Doping
  • Sb doped
  • Conductor type
  • N-type
  • Resistivity
  • 1 - 5 ohm.cm
  • EPD
  • Package
  • under 1000 class clean room
  •  Typical Properties
  • Structure
  • Cubic,     a = 5.6754 A
  • Density
  • 5.323 g/cm3 at room temperature
  • Melting Point
  • 937.4 oC
  • Thermal Conductivity
  • 640
 
  

    Working days : Monday to Saturday

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