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Si+SiO2 +Ti( or TiO2)+Pt (111)...

 
  2. Si+SiO2 +Ti( or TiO2)+Pt Thin film
  3. Si+SiO2 +Ti( or TiO2)+Pt (111)...
 
 
SiO2+Ti+Pt(111) thin film on Si substrate ,2"x0.279mm,1sp P-type B-doped.R:1-20 ohm.cm

SiO2+Ti+Pt(111) thin film on Si substrate ,2"x0.279mm,1sp P-type B-doped.R:1-20 ohm.cm

기본 정보
Product Name SiO2+Ti+Pt(111) thin film on Si substrate ,2"x0.279mm,1sp P-type B-doped.R:1-20 ohm.cm
Sale Price 480,000/ 세금 별도
Product Code FmPt150Ti10SO300onSiBa50D05C1
Quantity 수량증가수량감소
상품 옵션
 

    Silicon Wafer Specifications

  •      •  Film: SiO2+Ti+Pt(111) thin film on Si (100) (P-type) substrate ,
                    2"x0.279mm, 1 side polished (1sp)
    •          º  SiO2=300 nm
    •          º  Ti=10 nm
    •          º  Pt(111)=150 nm
  •      •  Resistivity: 1-20 ohm.cm   (If you would like to measure the
                               resistivity accurately,
                               please order our Portable 4 Probe Resistivity Testing Instrument.) 
  •      •  Substrate Size:  2" diameter +/- 0.5 mm x 0.279 mm
  •      •  Polish:  one side polished
  •      •  Surface roughness: < 20 A RMS
  •      •  Maximum Thermal Budget of Pt film: < 700-750 degree C / 1 hr
  •      •  Optional:  you may need tool below to handle the wafer ( click picture to order )

                 


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