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InGaAs EPI on InP( Semi-insulating)

 
  2. Thin Film on Substrates: A-Z
  3. InGaAs EPI on InP( Semi-insulating)
 
 
Lattice matched N-type InGaAs:undoped, on S-doped InP(100) 3"x0.65mm,1sp

Lattice matched N-type InGaAs:undoped, on S-doped InP(100) 3"x0.65mm,1sp

기본 정보
Product Name Lattice matched N-type InGaAs:undoped, on S-doped InP(100) 3"x0.65mm,1sp
Sale Price Call for Price
Product Code FmInGAonIPa76D065C1US5
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3" dia. InP/InGaAs/InP  layers on InP (100) by MOCVD deposition

Substrate:

  •      •  N-type S doped InP [100]±0.5°, Nc=~5E18/cc 
  •      •  Wafer Size: 3" diameter
  •      •  Thickness:650+/- 25um
  •      •  One side polished, backside etched, US Flats  

EPI Layer 1: 1um thick InP film, n-type Si doped, Nc=~5E15/cc
EPI Layer 2: 3.0±0.5µm thick, lattice matched In0.53Ga0.47As film, n-type undoped, Nc=1E15-1E16/cc                        
EPI Layer 3(top): 1um thick InP film, n-type Si doped, Nc=1E15-1E16/cc


 
 
  

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