MTI KOREA Battery

 
 
 
 
 
 
 

Crystal & Material

 
 
 
 
 

Thermal Processing

 
 
 
 
 
 
 
 
 

Plasma System

 

Microspheres-Nanospheres

 
 
 
 

Sample Preparation & Analysis

 
 
 
 
 

Material Analysis

 
 
 

Other Lab Equipment

 
 
 
 
 

Sample Handling

 
 
 
 

Knowledge Center
 

NONE

 
  2. NONE
 
 
Ge Wafer (110)N type, Sb doped, 2" dia x 0.5 mm, 1SP Resistivity: 0.113-0.12 ohm.cm

Ge Wafer (110)N type, Sb doped, 2" dia x 0.5 mm, 1SP Resistivity: 0.113-0.12 ohm.cm

기본 정보
Product Name Ge Wafer (110)N type, Sb doped, 2" dia x 0.5 mm, 1SP Resistivity: 0.113-0.12 ohm.cm
Sale Price Call for Price
Product Code GESbe50D05C1
Quantity 수량증가수량감소
상품 옵션
 
  •  Ge Wafer Specification
  • Growing Method
  • CZ
  • Orientation
  • (110) +/_0.5 Deg
  • Wafer Size
  • 2" dia x 500 microns
  • Surface Polishing
  • one side epi polished
  • Surface roughness
  • < 8 A ( by AFM)
  • Doping
  • Sb doped
  • Conductor type
  • N-type
  • Resistivity
  • 0.113-0.12 ohm.cm
  • EPD
  • Package
  • under 1000 class clean room
  •  Typical Properties
  • Structure
  • Cubic, a = 5.6754 Å
  • Density
  • 5.323 g/cm3 at room temperature
  • Melting Point
  • 937.4 oC
  • Thermal Conductivity
  • 640
 
  

    Working days : Monday to Saturday

법인명(상호) : 엠티아이코리아 코퍼레이션(주) 대표자(성명) : 이청규 사업자 등록번호 안내 : [642-81-02515]통신판매업 신고 기타
전화 : 02-498-8820 팩스 : 02-498-8120 주소 : 04545 서울특별시 중구 청계천로 160 세운청계상가 518호
개인정보보호책임자 : 이청규(mti@mtikorea.co.kr) Contact : mti@mtikorea.co.kr 사업자 계좌번호 : 신한은행 140-013-598791 (예금주: 엠티아이코리아코퍼레이션(주))

엠티아이코리아 영남지사 (영남지사) 전화: 053-381-1998       팩스: 053-381-2009
Copyright © 2011 MTIKOREA. All rights reserved.