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SOI Epitaxial Wafer: 4" , 20um (P/Boron) + 2 um SiO2 + 500um Si ( undoped )

SOI Epitaxial Wafer: 4" , 20um (P/Boron) + 2 um SiO2 + 500um Si ( undoped )

기본 정보
Product Name SOI Epitaxial Wafer: 4" , 20um (P/Boron) + 2 um SiO2 + 500um Si ( undoped )
Sale Price Call for Price
Product Code SOI-20-2-50-undp
Quantity 수량증가수량감소
상품 옵션
 
  •  Device Layer
  • Diameter
  • 100 +/- .1mm
  • Type/Dopant
  • P/Boron
  • Orientation
  • <1-0-0>+/-.5 degree
  • Thickness
  • 20 +/- .5 um
  • Resistivity
  • < 0.01 ohm-cm
  • Flatness
  • < 2 um
  • Flats
  • Semi Std.
  • Finish
  • Polished
  •  Buried Thermal Oxide
  • Thickness
  • 2um +/- 5%
  •  Handle Wafers
  • Type/Dopant
  • undoped
  • Orientation
  • <1-0-0>+/-.5 degree
  • Resistivity
  • >2,000 ohm-cm / FZ
  • Thickness
  • 500 +/- 10 um
  • Finish
  • Polished
  • Optional
  • you may need tool below to handle the wafer ( click picture to order )
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