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GaAs(100) Zn-doped

 
  2. GaAs(100)
  3. GaAs(100) Zn-doped
 
 
GaAs (100) orientation, P type, Zn-doped, 2" dia x 0.4mm, 6.15xE17cm^-3, 2sp

GaAs (100) orientation, P type, Zn-doped, 2" dia x 0.4mm, 6.15xE17cm^-3, 2sp

기본 정보
Product Name GaAs (100) orientation, P type, Zn-doped, 2" dia x 0.4mm, 6.15xE17cm^-3, 2sp
Sale Price Call for Price
Product Code GAZna50D04C2-US
Quantity 수량증가수량감소
상품 옵션
 
  •  GaAs single crystal wafer
  • Growing Method
  • LEC
  • Orientation
  • (100)
  • Size
  • 2" dia x 0.4 mm
  • Polishing
  • both sides polished
  • Roughness
  • < 5 Angstrom
  • Doping
  • Zn-doped
  • Conductor type
  • P-type
  • Resistivity
  • (6 ~ 7) x 10-2 Ohm.cm
  • Carrier Concentration
  • 6.15 E17 cm-3
  • Mobility
  • ~ 150 cm2/V.S
  • EPD
  • < 2. x 104/cm-2
 
  

    Working days : Monday to Saturday

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