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GaAs(100) Zn-doped

 
  2. GaAs(100)
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GaAs Wafer - Growing Method: VGF (100) Zn doped Ptype, , 3"x0.625 mm, 1sp

GaAs Wafer - Growing Method: VGF (100) Zn doped Ptype, , 3"x0.625 mm, 1sp

기본 정보
Product Name GaAs Wafer - Growing Method: VGF (100) Zn doped Ptype, , 3"x0.625 mm, 1sp
Sale Price Call for Price
Product Code GAZa76D06C1-US
Quantity 수량증가수량감소
상품 옵션
 
  •  GaAs single crystal wafer
  • Growing Method
  • VGF
  • Orientation
  • (100)
  • Size
  • 3" dia x 0.625 mm
  • Polishing
  • one side polished
  • Doping
  • Zn doped
  • Conductor type
  • S-C-P
  • Carrier Concentration
  • (1.3 - 2.2) x 1019 /cm3
  • Mobility
  • 64 - 75 cm2/V.S
  • EPD
  • < 5000/cm2
  • Resistivity
  • (4.5 - 6.7) x 10-3 ohm.cm
  • Ra(Average Roughness)
  • < 0.4 nm
  • Note
  • EPI ready wafers
 
  

    Working days : Monday to Saturday

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