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Knowledge Center
 

GaAs (110)

 
  2. Crystals Substrates: A-Z
  3. GaAs
  4. GaAs (110)
 
 
GaAs, VGF Grown (110) ori. N type, Si-doped, 2" dia x 0.35mm, 1sp,

GaAs, VGF Grown (110) ori. N type, Si-doped, 2" dia x 0.35mm, 1sp,

기본 정보
Product Name GaAs, VGF Grown (110) ori. N type, Si-doped, 2" dia x 0.35mm, 1sp,
Sale Price Call for Price
Product Code GASie50D035C1-VGF-US
Quantity 수량증가수량감소
상품 옵션
 
  •  GaAs single crystal wafer
  • Growing Method
  • VGF
  • Orientation
  • (110)
  • Size
  • 2" dia x 0.35 mm
  • Polishing
  • One side polished
  • Doping
  • Si-doped
  • Conductor type
  • S-C-N
  • Carrier Concentration
  • (1.4 - 4.1) x 10E17/cm3
  • Mobility
  • 3100 - 3180 cm2/V.S
  • Ra(Average Roughness)
  • < 0.4 nm
  • Resistivity
  • ( 0.5 - 1.5) x 10-2 ohm.cm
  • Note
  • EPI ready wafers
 
  

    Working days : Monday to Saturday

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