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GaAs(100) Si- doped

 
  2. GaAs(100)
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GaAs - Growing Method: VGF (100) Si doped, N-type, 2" dia x 0.35mm, 2sp,cc: (1.07-3.89) x 10^18 /cm^3

GaAs - Growing Method: VGF (100) Si doped, N-type, 2" dia x 0.35mm, 2sp,cc: (1.07-3.89) x 10^18 /cm^3

기본 정보
Product Name GaAs - Growing Method: VGF (100) Si doped, N-type, 2" dia x 0.35mm, 2sp,cc: (1.07-3.89) x 10^18 /cm^3
Sale Price Call for Price
Product Code GASia50D035C2US5
Quantity 수량증가수량감소
상품 옵션
 
  • GaAs single crystal wafer

  •      •  Growing Method:                VGF
  •      •  Orientation:                        (100)
  •      •  Size:                                   2" dia x 0.35 mm
  •      •  Polishing:                           Two sides polished
  •      •  Doping:                              Si doped
  •      •  Conductor type:                 N-type
  •      •  Carrier Concentration:       (1.93-3.35) E18 /cm^3
  •      •  Mobility:                             (1430-2030) cm^2/V.S
  •      •  Resistivity:                         (1.31-1.59) E-3  ohm.cm
  •      •  EPD:                                  < 500cm^2
  •      •  Ra(Average Roughness) :  < 0.4 nm
  •      •  EPI ready surface and packing 
 
  

    Working days : Monday to Saturday

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