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GaAs(100) Si- doped

 
  2. GaAs(100)
  3. GaAs(100) Si- doped
 
 
GaAs - Growing Method: VGF (100) Si doped, N-type, 2" dia x 0.35mm, 1sp,cc: (1.65-3.92) x 10^18 /cm^3 (부가세 별도)

GaAs - Growing Method: VGF (100) Si doped, N-type, 2" dia x 0.35mm, 1sp,cc: (1.65-3.92) x 10^18 /cm^3 (부가세 별도)

기본 정보
Product Name GaAs - Growing Method: VGF (100) Si doped, N-type, 2" dia x 0.35mm, 1sp,cc: (1.65-3.92) x 10^18 /cm^3 (부가세 별도)
Sale Price 250,000원
Product Code GASia50D035C1US5
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상품 옵션
 
  • GaAs single crystal wafer

  •      •  Growing Method:                VGF
  •      •  Orientation:                        (100)
  •      •  Size:                                   2" dia x 0.35 mm
  •      •  Polishing:                           One side polished
  •      •  Doping:                              Si doped
  •      •  Conductor type:                 N-type
  •      •  Carrier Concentration:       (1.65 - 3.92) x 10^18 /cm^3
  •      •  Mobility:                             1440 - 2000 cm^2/V.S
  •      •  Resistivity:                          (1.01 - 1.90) E-3  ohm.cm
  •      •  EPD:                                  < 500cm^2
  •      •  Ra(Average Roughness) :  < 0.4 nm
  •      •  EPI ready surface and packing 
 
  

    Working days : Monday to Saturday

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