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GaAs(100) Si- doped

 
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VGF-GaAs (100) N-type Si doped 2" dia x 0.5 mm, 1sp,cc:(0.63-1.17) x 10^18/cm^3 (부가세 별도)

VGF-GaAs (100) N-type Si doped 2" dia x 0.5 mm, 1sp,cc:(0.63-1.17) x 10^18/cm^3 (부가세 별도)

기본 정보
Product Name VGF-GaAs (100) N-type Si doped 2" dia x 0.5 mm, 1sp,cc:(0.63-1.17) x 10^18/cm^3 (부가세 별도)
Sale Price 520,000원
Product Code GASia50D05C1US5
Quantity 수량증가수량감소
상품 옵션
 
  • GaAs single crystal wafer

  •      •  Growing Method:                  VGF
  •      •  Orientation:                          (100)
  •      •  Size:                                     2" dia x 0.5mm
  •      •  Polishing:                             One  side polished
  •      •  Doping:                                Si doped
  •      •  Conductor type:                   N-type
  •      •  Carrier Concentration:         (0.63 - 1.17) x 10^18 /cm^3
  •      •  Mobility:                               (2170 - 2920) cm^2/V.S
  •      •  Resistivity:                           (2.44 - 3.55) E-3  ohm.cm
  •      •  EPD:                                    < 5000cm^2
  •      •  EPI ready surface and packing 
 
  

    Working days : Monday to Saturday

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