GaAs(100) Si- doped

VGF-GaAs (100) orientation, Si-doped 10x10x 0.5mm, 1sp

VGF-GaAs (100) orientation, Si-doped 10x10x 0.5mm, 1sp

기본 정보
Product Name VGF-GaAs (100) orientation, Si-doped 10x10x 0.5mm, 1sp
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Product Code GASia101005S1US
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상품 옵션
 
  • GaAs single crystal wafer

     •  Growing Method:               VGF
     •  Orientation:                       (100)
     •  Size:                                  10x10x0.5mm
     •  Polishing:                            one side polished
     •  Doping:                               Si doped
     •  Conductor type:                  S-C-N
     •  Carrier Concentration:        (7.2-11.7) x 10^17 /cm^3
     •  Mobility:                              2170-2650 cm^2/V.S
     •  EPD:                                   <5000/cm^2
     •  resistivity:                            (2.56-3.55)x10^-3 ohm.cm
     •  Ra(Average Roughness) :  < 0.4 nm