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GaAs(100) Zn-doped

 
  2. GaAs(100)
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GaAs Wafer - Growing Method: VGF (100) Zn doped Ptype, , 2"x0.35 mm, 1sp, CC: (2.67-3.27) x 10^18 /cm^3

GaAs Wafer - Growing Method: VGF (100) Zn doped Ptype, , 2"x0.35 mm, 1sp, CC: (2.67-3.27) x 10^18 /cm^3

기본 정보
Product Name GaAs Wafer - Growing Method: VGF (100) Zn doped Ptype, , 2"x0.35 mm, 1sp, CC: (2.67-3.27) x 10^18 /cm^3
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Product Code GAZna50D035C1US5
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상품 옵션
 
  • GaAs single crystal wafer

         •  Growing Method:                 VGF
         •  Orientation:                         (100)
         •  Size:                                    2" dia x 0.35mm
         •  Polishing:                            one side polished
         •  Doping:                                Zn doped
         •  Conductor type:                   S-C-P
         •  Carrier Concentration:         (2.67-3.27) x 10^18 /cm^3

         •  Mobility: 1                           116-125 cm^2/V.S

         •  EPD:                                   <5000/cm^2

         •  Resistivity:                          (1.64-1.88)x10^-2 ohm.cm

         •  Ra(Average Roughness) : < 0.4 nm

         •  Note: EPI ready wafers
 
  

    Working days : Monday to Saturday

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