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GaAs(100) Zn-doped

 
  2. GaAs(100)
  3. GaAs(100) Zn-doped
 
 
GaAs Wafer - Growing Method: VGF (100) Zn doped P-type , 100mm x0.625 mm, 2sp,Carrier Concentration:(1.00-1.94) x 10^19 /cm^3

GaAs Wafer - Growing Method: VGF (100) Zn doped P-type , 100mm x0.625 mm, 2sp,Carrier Concentration:(1.00-1.94) x 10^19 /cm^3

기본 정보
Product Name GaAs Wafer - Growing Method: VGF (100) Zn doped P-type , 100mm x0.625 mm, 2sp,Carrier Concentration:(1.00-1.94) x 10^19 /cm^3
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Product Code GAZna100D0625C2US5
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상품 옵션
 
  • GaAs single crystal wafer

         •  Growing Method:                 VGF
         •  Orientation:                         (100)
         •  Size:                                    100mm  dia x 0.625mm
         •  Polishing:                            Two  sides polished
         •  Doping:                                Zn doped
         •  Conductor type:                   S-C-P
         •  Carrier Concentration:         (1.00-1.94) x 10^19 /cm^3

         •  Mobility: 1                            (69-82)  cm^2/V.s

         •  EPD:                                   <5000/cm^2

         •  Resistivity:                          (4.67-7.59) x10^-3 ohm.cm

         •  Ra(Average Roughness) : < 0.4 nm

         •  Note: EPI ready wafers
 
  

    Working days : Monday to Saturday

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